厚膜混合集成电路（HIC，MCM多芯片组件），由半导体裸芯片（Die）、氧化铝陶瓷基板、无源元件与金丝引线键合构成。裸芯片通过导电胶/焊料贴装在陶瓷基板，采用金丝引线键合（Wire Bond）工艺，完成芯片焊盘与基板厚膜金线路的电气互连；基板同时集成片式电阻、电容等无源器件，将有源芯片与无源元件集成在同一陶瓷载体上。另外，这类结构多用于射频、微波、高压功率或精密模拟电路，陶瓷基板导热性好、高频损耗低，气密性封装后抗环境干扰能力强。因此，相比PCB，厚膜混合集成走线寄生参数更小，散热性能优异，适合高频、高功率场景。工艺难点集中在引线键合良率、裸片贴装应力控制，以及厚膜印刷线路精度；失效常见模式包含金丝疲劳断裂、焊盘不粘、柯肯达尔空洞、陶瓷基板开裂。广泛应用于通信射频模块、航空航天、电源驱动等对可靠性要求严苛的领域。
