传长鑫存储启动HBM3E风险试产先进存储芯片领域再次取得突破
据The Information报道，长鑫存储（CXMT）已启动HBM3E风险试产。虽然现阶段的HBM3E产量还比较低，但是对于长鑫存储来说，这是一个重要的里程碑，预计未来几年会进一步提高产量。
如果对过去几年的AI芯片有所了解，就会知道HBM在其中发挥的重要作用。英伟达基于Hopper架构GPU的H200，是首款采用8层堆叠HBM3E的产品，随后基于Blackwell系列架构GPU的B200/GB200和B300/GB300同样采用了HBM3E，直到今年最新的Rubin架构GPU，才转向HBM4。AMD也在多款Instinct MI300系列产品上选择HBM3E，至今仍然是出货的主力。
暂时还不清楚长鑫存储生产的HBM3E规格，按照JEDEC固态技术协会的标准，HBM3E位宽为1024-bit，每引脚速度在9.2Gbps到12.4Gbps之间，大多数时候的标准配置为9.6Gbps，对应的总带宽为1.2TB/s，容量可以是8层堆叠的24GB，或者是12层堆叠的36GB。随着长鑫存储从风险试产转向大规模生产，可能不用等太久，就会了解到更多信息。
近日长鑫存储还宣布已正式量产LPDDR6内存，小米18 Fold新款折叠旗舰手机首发搭载，下个月就会看到。
最近长鑫存储在技术方面的进步非常明显，同时产能方面的扩张也很顺利。按照之前的说法，预计到2026年末，长鑫存储的产能就将提升至每月30万至35万片晶圆。预计2026年至2031年的五年时间里，长鑫存储的产能将每年的月产能将增加大概10万片晶圆，最终在2031年达到约每月80万片晶圆。传闻长鑫存储还将划出每月5万片晶圆的产能，专门用于生产HBM产品。
