长鑫G5 DRAM量产，11.95纳米工艺将带动哪些设备材料

存储芯片这一轮变化，已经落到生产线上。
9月20日，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台G5正式量产。最值得看的数字是11.95纳米。长鑫采用四重曝光技术，把内存阵列有源区半间距缩小到11.95纳米。存储电容深宽比达到45比1，核心功能区高度缩小到6762纳米。
工艺变小以后，一片晶圆可以做出更多芯片。长鑫公布的数据是，按8Gb颗粒计算，G5每片晶圆产出的裸片数量比第四代平台提高至少50%。同时发布的LPDDR5X新品单颗容量达到24Gb，比上一代同类产品提高50%，已经进入规模量产。
这一变化值得继续看设备和材料。四重曝光需要更多工艺步骤，对光刻、薄膜、刻蚀、清洗、检测提出更高要求。45比1的电容结构，也让材料和加工控制变得更重要。
后面的关键点已经很清楚。要看G5产量提升速度，也要看良率、成本和客户采用情况。国产DRAM正在进入更小工艺和更大规模生产的新阶段，设备与材料环节也迎来新的验证机会。