邦妮分享：长鑫存储的投资聚焦 9月20日，长鑫存储在2026世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台(以下简称“G5平台”)实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。 据记者在现场了解到，该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破，将为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案选择。 据介绍，G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破：依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程；通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1；开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅(HKMG)工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。