重大科研利好！我国科研团队实现埃米级原子滑移， 撬动千万倍电阻变化，存算一体迎来新方案，下星期算力与数据存储有希望了国内科研团队在半导体基础研究领域拿到重要成果，一项全新的底层器件技术登上国际顶级期刊。财联社消息，中科院半导体所团队，依靠二维范德华异质结界面工程，实现埃米级原子滑移。0.1纳米尺度的微小原子位移，就能带来千万倍的电阻变化。这项成果解决了滑移铁电隧穿结，高开关比和高耐久性很难同时兼顾的行业难题，成果在9月11日发表于《科学》。技术成熟后，器件运算速度更快、功耗更低，能够用在手机、电脑终端硬件，助力存算一体架构落地。这项科研成果，核心目的是破解算力提升和功耗之间的矛盾。当前AI算力持续增长，传统芯片存储和计算分开，数据来回搬运会消耗大量电力，功耗瓶颈越来越明显。存算一体就是把存储和计算放在一起，减少数据传输损耗。这次的技术突破，给存算一体芯片提供了一条新的实现路径，属于底层基础创新，为下一代低功耗算力硬件打下理论基础。放到产业链来看，属于长期利好，短期不会立刻转化为产品订单。在新型存储与存算一体赛道，这项技术验证了新器件方案的可行性，给国内相关科研和研发企业，提供新的技术方向。未来如果推进到器件阵列、配套电路阶段，会带动新材料、半导体工艺、先进封装相关方向持续投入研发。对于终端硬件行业，低功耗存算芯片一旦产业化，手机、PC端的本地AI运算能力会明显增强，不用过度依赖云端算力。但要理性看待，基础科研到量产还有很长一段距离。从实验室成果，到大规模商用，还要攻克器件良率、制造工艺等一系列难题。更多是产业长期预期的提升，短期更多偏向情绪层面的催化。