俄国光刻机的研发，130nm光刻机之后，65nm的工程开发工作启动及其瓶颈——产业链配套设备，特别是高纯基础化工原料的重建

俄国光刻机的技术路径和全产业链配套本地化及其瓶颈

当前俄国光刻机从350纳米向130纳米的过渡，其技术本质是物理平台的整体更换。前一代“进步STP-350”工作波长为365纳米，而130nm的新装置采用波长193纳米的准分子激光器。这属于深紫外（DUV）光刻类别，在全球实践中可支撑130纳米及更细工艺节点。这些变化的不仅是光源：需要全新的投影光学系统（公差要求完全不同）、不同的光刻胶，以及不同的层间对准标准。换句话说，这不是对旧机器的“升级”，而是创建了一个全新类别的设备。

在结构设计中，莫斯科的“拉萨德”（Lassard）公司占有特殊地位：直到不久前，全球实际能生产光刻用准分子激光器的只有两家公司，现在出现了第三家。该公司计划年产约1000台各类激光器。这是一个在公开讨论中被低估的独立成果：光源是光刻机中最复杂、最“封闭”的节点之一，其本土化的实现将在未来多年内部分解除相关依赖。

俄国光刻机和生产流程中的关键瓶颈依然存在，其中最突出的是光学系统。准分子激光元件和高分辨率物镜需要单晶氟化钙晶锭，全球仅有极少数公司能够生产；目前俄罗斯产晶锭质量仍落后于世界水平。俄工贸部近期取消了物镜生产相关招标。如果情况不改变，没有这种材料就无法制造90纳米及更细工艺的光刻机。

当然，当前俄工贸部表现出来的态度相对乐观，已宣布后续试验设计工作，目标是90-65纳米节点，并规划长期分阶段掌握直至28纳米的工艺。于此同时，俄国在国家层面正在推进产业链全链条本地化工作：在光刻机本身之外，同步建设掩模版全套配套设备的设计开发和本地化配套。包括图像发生器（在模板上绘制电路图形的设备）、质量检测系统，以及激光修版装置（可精确“擦除”模板上的偶然纳米缺陷和划痕）。此外，泽列诺格勒纳米技术中心（ЗНТЦ）已建成电子束光刻机装置（ 150nm的电子束光刻机）——这是一种特殊工具，可通过受控电子束直接“刻写”芯片，无需使用掩模版，非常适合小批量及保密芯片的设计生产（ 并不太适合大批量，大规模的生产）。

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设计开发的成本变化，nm数的减少，工程开发成本呈现指数级增长

俄国光刻机及其产业链配套的开发成本估算：

基础型350纳米步进式光刻机（“进步STP-350”）的研发花费预算约10亿卢布

130纳米光刻机设计拨出约57亿卢布

仅其中一个样机装配阶段就耗资超过24.6亿卢布

90-65nm光刻机——试验设计工作成本还将再增加70-100亿卢布

从130nm的步进式架构转为复杂的扫描式架构，由于同步系统和光学系统复杂度成倍增加，新的试验设计工作成本还将再增加70-100亿卢布

可见，更细工艺光刻机的投入呈指数级增长。

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产业链配套，需要的成本开支更加庞大——掌握或重新掌握313种高纯化学品和250种特种材料的生产

光刻机本身若没有配套产业链，基本无用，而配套产业链才是资金投入的大头。配套光掩模综合体（图像发生器、面向130-90纳米的掩模激光修版等）未来几年将需要150-200亿卢布的投入开发和本地化部署。

整体配套环境其他方面，如设备、材料与化学品的建设和落地，正在电子行业工业发展综合发展计划框架内推进，该计划至2030年的预算拨款超过2400亿卢布。在其框架内，计划掌握313种化学品和250种特种材料的生产，其中包括用于更加精细工艺节点的光刻胶。

面对这样的指数级成本递增，俄国财政和俄产业链企业都无法回避——事实上，这样的重建和追赶总是比同步前进要贵数倍，当然，这也是1991年之后电子工业失去的30年一个回补

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