看了iPhone 18 Pro Max 1TB版的闪存实测，说实话挺意外的，这代大容量机型最核心的争议，就是高负载下的写入速度甚至不如廉价的microSD卡。

空盘状态下有高速SLC缓存撑着，写入速度能突破3000MB/s，看着确实亮眼。可一旦缓存耗尽，就会先退到模拟TLC的二级缓冲区，平均写入大概578MB/s，波动已经很大。等二级缓存也被占满，数据直接写入QLC闪存时，速度直接跳水到平均仅79.4MB/s，最低甚至只有25.6MB/s，确实还不如很多入门级microSD卡。更夸张的是存储空间用到60%以后，可用SLC缓存大幅缩水，直写QLC阶段平均速度只剩45MB/s，最低记录更是跌到了1.1MB/s。

对比512GB的TLC版本，两者4K读取差距不大，但混合读写场景下TLC版领先20%到30%，低队列深度时优势能到38%。寿命上差距也明显，QLC理论擦写寿命约1000次，TLC则有3000次，高负载写入场景下损耗会更快。

日常轻度使用可能感知不强，但经常拍4K视频、传输大文件的用户，选大容量版本反倒要留意这个性能落差。