截至2026年2季度，国内半导体设备整体国产化率已升至26%-35%，新建12英寸晶圆产线中国产设备金额超过55%。但细分环节差异极大：清洗和CMP已经跨过“从1到N”的阶段；刻蚀和薄膜沉积正在“从10到100”的放量期；量检测和光刻仍是“从0到1”的攻坚期。

这里简单说下设备受益顺序，本质上是跟着晶圆厂的资本开支节奏走的。

第一梯队：存储扩产直接拉动的刻蚀+薄膜沉积。

长鑫科技科创板IPO拟募资295亿元，2026年计划新增晶圆产能5万至6万片，估算对应设备采购金额有望突破50亿美元。在DRAM生产中，刻蚀与薄膜沉积是价值量最高的两个环节，合计占存储设备资本开支超过50%。

第二梯队：后道测试与先进封装设备。

随着HBM向HBM4演进、3D NAND向400层以上堆叠，后道封测设备占总资本开支比例已从2023年的6.6%低点触底回升。后道弹性可能优先释放，HBM封测及新Fab厂务设备将分阶段受益。键合设备（市场占比约43%）、量检测设备和测试设备是三条核心赛道。

第三梯队：低国产化率的“攻坚型”环节。

光刻机国产化率不足3%，量测检测设备不足5%，涂胶显影不足5%，这些是当前最“卡脖子”的环节，但一旦突破，从0到1的弹性最大。量检测和测试设备是本轮扩产中国产替代弹性最大的环节，当前国产化率仅1%-10%，替代进度垫底。

以上为产业分享，不构成任何投资建议。

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