半导体MOS 电容器，英文全称：MOS‑Capacitor，简称：MOSCAP，它是半导体物理和集成电路中一个极其基础且核心的结构。它不仅是构成 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管） 的核心部分，本身也是一种重要的器件。简单来说，它就是一个平板电容器，但其中一个极板是半导体，而不是金属。MOS 电容器（MOSCAP）是利用MOS管的Gate与沟道之间的栅氧化层作为作为介质，Gate接电位作为上电极，源漏和衬低三端短接在一起接地组成下电极，形成电容。其典型的MOS电容器由三层组成，像一个“三明治”，即：金属 (M)、氧化物 (O)和半导体 (S)，在半导体衬底上还会制作一个欧姆接触（称为衬底接触或Body Contact），用于给半导体施加电压。另外，MOS 电容器（MOSCAP）的核心在于通过栅极电压（VG）来控制半导体表面的电荷状态。由于氧化物是绝缘的，没有直流电流流过，但电场可以穿透氧化物，吸引或排斥半导体中的载流子。因此，理解MOS电容（MOSCAP）是理解晶体管工作的前提，早期的EPROM和EEPROM利用MOS电容的电荷存储特性来存储数据，在芯片制造中，MOS电容常被用作测试结构，用来监控氧化层质量和工艺稳定性，随着工艺进步，MOS电容的结构也演变为高K金属栅（HKMG）等更复杂的形态，但基本原理不变。