说实在的，这次杭州推出的第四代氧化镓技术突破，着实看得人浑身起鸡皮疙瘩。
早前国外把高端半导体材料攥得严严实实，我们连追三代都要被卡脖子，这回直接在第四代赛道把对手远远甩在了身后。12英寸的氧化镓单晶样品直接刷新了全球纪录，此前国外最多才摸到8英寸的门槛，6英寸晶锭的等径厚度还突破了70mm，单片晶圆的成本直接往下压了好大一段。
不过也得保持清醒，眼下材料端确实是全球领跑，但真正能装车、接入电网的终端功率芯片还处在试样验证阶段，远没到大规模商用的地步。可就凭着它理论耐压是碳化硅的2-3倍，损耗仅为碳化硅1/7的优势，等后续落地到高压快充、特高压电网这类场景里，能带来的行业变革实在是难以估量。
总而言之，芯片卡脖子的制裁已然失效，国产芯片已经领先美日至少三年。中国半导体科创从跟跑到并跑再到领先，实实在在是破茧成蝶、变道超车。今日中国的崛起让美日满心焦虑，往后的发展更是如芝麻开花，节节攀升！不知道大家有什么想法，欢迎各抒己见！