半导体混合键合（Hybrid Bonding，简称：HB），也叫 DBI 直接键合互连，它是后摩尔时代 3D‑IC、Chiplet、HBM 的一种革命性的芯片互连技术，同时完成介电层（SiO₂/SiCN）键合 + Cu‑Cu 金属直接键合，无焊料、无凸点（Bump‑less），把两片晶圆 / 裸片原子级贴合在一起，同时实现机械强度与电气导通，是延续摩尔定律、推动AI和HBM芯片发展的关键技术。混合键合（HB）的核心在于它将芯片的金属层（通常是铜） 和绝缘介质层直接“长”在一起，取代了传统的焊料凸块。其工艺流程大致分为纳米级打磨、室温预键合和加热退火“长牢”这三步。与传统封装相比，混合键合（HB）有着极致互连密度、卓越性能与能效和支持3D堆叠等划时代的优势。当然，混合键合（HB）虽已在部分领域成功商用，但其全面普及，尤其是在高带宽存储器（HBM）等复杂产品上存在多种现实约束，仍面临巨大挑战，其大规模应用的时间线仍有不确定性，但可以明确的是，这项技术是推动人工智能发展、克服传统技术物理限制的最可行解决方案。因此，混合键合（HB）还是有望在整个半导体封装领域建立起主流平台，并最终成为未来半导体架构的新标准。