三星8月23日，英伟达8月26日。相隔三天，两家公司先后宣称拥有同一片硅片——这片硅片几乎只有业内人知晓，它位于每块AI加速器内存堆栈下方的基底芯片。

三星率先出手。在Hot Chips大会上，它展示了这块基底芯片从普通DRAM工艺转向4纳米级逻辑工艺，这让内存控制器得以嵌入内存内部，而非占用昂贵的计算芯片空间。三星还表示，传统控制器已在迁移适配中。

三天后，英伟达公布财报，因内存价格飙升，毛利率指引从75.0%下调至71%至72%的谷底；同日，它宣布基底芯片中的控制器应由自己掌控。

英伟达将这一设计命名为NVHBM。亚马逊旗下Annapurna Labs——Trainium芯片背后的团队——成为首个参与NVHBM研发的机构。

今早我重新研读了两份文件，因为事件顺序远比两家公告本身更具深意。

英伟达并非发明者——显然不是。三星早已分阶段公布了路线图：回收加速器面积，加入传感器和内存扩展，然后直接将计算单元堆叠到DRAM上并移除中介层。

英伟达所做的比发明更快一步。它给这个插槽起了名字，宣称自己的控制器应占据此地，并承诺多家内存供应商将提供标准实现——在语境中，这意味着标准化仅限于NVLink Fusion内部，而非人人可造的JEDEC标准。

上周，基底芯片还只是“管道工程”。如今，这一层已成为争夺焦点。

争夺的核心是面积。内存控制器及其宽接口会蚕食加速器芯片上昂贵的空间。将控制器下移至DRAM旁，收窄与计算单元之间的连接，英伟达声称每堆栈带宽可提升高达30%，HBM功耗降低15%，计算面积比标准HBM4E多出25%。这些是公司单方面宣称，未经实测，类似数据在定制HBM文献中已广泛流传，因此我将物理原理视为行业共识，而品牌归属则归英伟达。

再对照其申报文件。英伟达的供应和产能承诺在一个季度内从1190亿美元飙升至2790亿美元，主要用于内存采购。一步是争夺稀缺资源，另一步则明显试图让内存下方的逻辑层服从英伟达的设计。

再看亚马逊的实际行动。同一公告中，AWS承诺2027至2028年间增购200万块英伟达GPU。英伟达博客称，下一代Trainium（从Trainium4起）将支持NVLink Fusion。而亚马逊自家页面仅表示该技术将为Trainium带来更快、更低功耗的内存。亚马逊从未提及Trainium4搭载NVHBM。

因此，AWS并非在替代选择。AWS是双线并行，并将两者接入同一机架。

我的解读是，尽管尚无产品出货，这已重新定义了定制芯片的博弈格局。超大规模云厂商即便赢得计算芯片的“插座”，仍可能受制于英伟达的控制器、互联和机架。当你掌控了芯片下方的层级，失去芯片本身反而没那么重要。

我想让局限之处清晰可见：无发布日期，无指定内存供应商，两份文件中均无价格、产量、授权费或排他性条款。三星正将基底芯片转化为逻辑芯片，SK海力士则聚焦封装与散热，而我无法理解的是，三星、SK海力士或美光竟无一家对NVHBM公开发表过评论。三家必须制造NVHBM的公司保持沉默，这本身就是最响亮的信号。

别把它当作收费关卡，要当作一种期权！

所有人都盯着70%的增长指引，真正的较量发生在计算芯片下方一层。若有人见过内存厂商公开回应NVHBM，请告诉我——因为我已遍寻无果。亚马逊