三星·SK扩大HBM4「8层」的出货比例…预告NVIDIA供应链的变化 HBM4·4E转向减少层数抑制发热…8层的供应预计将增加

三星电子和SK海力士将扩大针对NVIDIA的第6代宽带内存「HBM4」的出货量中「8层（8단）」产品的比例。据悉，这主要是由于NVIDIA为确保多样化的HBM内存选项，同时考虑发热和供应链稳定性而采取的供需策略。下一代产品「HBM4E」也很有可能以8层作为主力产品。 26日，据业内人士透露，三星电子和SK海力士计划在今年下半年增加针对NVIDIA的HBM4 8层的供应。 在此之前，两家公司一直为NVIDIA的下一代AI加速器「Vera Rubin（薇拉·鲁宾）」系列供应HBM4 12层产品。HBM是将多个DRAM垂直堆叠的内存，12层意味着堆叠了12片DRAM。本格量产供应的时期预计为三星电子在今年第一季度，SK海力士在第二季度。

然而，最近NVIDIA的HBM供应链基调发生了变化。根据两家公司相关人士的综合说法，今年下半年，两家公司将逐步扩大针对NVIDIA的HBM4出货量中8层的供应比例，取代12层。

内存半导体行业的相关人士表示：「最近，NVIDIA要求将HBM4的主力供应产品从12层改为8层」，「据我所知，为此今年下半年的供应计划已被修正」。

另一位相关人士表示：「从一开始，对HBM4 8层的需求就存在一部分，但今年下半年，该产品的需求增加，对相关材料·零部件方面的订单也产生了影响」，「虽然目前还无法判断确切比例，但针对NVIDIA的HBM4，8层的比例增加趋势将变得明确」。 业内认为，这种变化是由多种因素共同作用的。在性能方面，「发热问题」浮出水面。对于HBM4，与前一代相比，数据传输路径即输入输出端子（I/O）数量增加到2048个，翻了一番，这不仅导致单个芯片，而且整个服务器机架系统的发热大幅增加。

供应链方面的因素也被认为产生了影响。目前，HBM由于全球大型科技公司的积极AI基础设施投资而陷入严重的供应短缺。一方面，HBM4由于性能和集成度的提升，良率（yield）改善难度较大。核心芯片即DRAM本身的良率相对较快地得到提升，但将其堆叠成12层并进行键合和封装的工序中，良率会大幅下降。 为此，NVIDIA预计将增加除传统HBM4 12层之外的8层产品的采购量，试图为今后搭载在AI加速器上的内存容量确保多个选择。 半导体行业相关人士表示：「NVIDIA在设计最新AI平台的过程中，最重视发热管理」，「与其降低单个芯片的规格，不如说是寻找最佳组合的过程，因此对整个市场的需求不会有太大变动」，他强调道。

HBM4的下一版本「HBM4E」也被认为很可能从最初的12层转向8层的出货。HBM4E是计划搭载在NVIDIA下一代AI加速器「Rubin Ultra（鲁宾·ウルトラ）」上的产品。

内存半导体行业的高层相关人士表示：「虽然也讨论了HBM4E的12层及16层样品，但从与客户的协商情况来看，明年供应的HBM4E很有可能以8层作为主力供应」，「不过，目前Rubin Ultra是否采用HBM4E还是HBM4等问题仍存，行业整体的不确定性很高」，他说道。