近日，韩媒爆长鑫存储"偷三星配方"量产DRAM！岛内高潮了

韩国《每日经济新闻》引述首尔中央地方法院证词，三星前员工（服务28年，2016年跳槽）出庭作证，直指长鑫存储2016年成立时"既无研究机构，也无相关设施"，执行长与技术长在内的管理层"从一开始就无意自行研发"，企图直接取得三星电子的制程配方（PRP）来开发DRAM。

该员工于今年4月已被判处七年有期徒刑，涉嫌非法取得三星DRAM制程相关的600道制程配方，特别是18纳米级部分。检方认定，长鑫延揽三星前高阶主管后，将外泄制程资讯依照当地设备修改验证，最终成功量产10纳米级DRAM。

正常DRAM从开发到量产需3到5年，三星开发18纳米级就花了5年。结果长鑫2019年才以22纳米量产，2023年竟跳到18纳米——没有前期IP授权，从零开始却用一半时间追平，这速度确实让韩国人坐不住了。

这消息一出，岛内媒体集体高潮，疯狂报道，仿佛抓到什么"大陆科技原罪"的铁证。但有不少人反问：有制程配方和逆向工程就能大幅缩短试错时间，这在半导体业是公开的秘密吧。

这算是"窃取"吗？还是业内的常规操作？

大家觉得呢？