长鑫科技将发财报存储芯片大涨！大摩预警：成熟DRAM三季度或暴涨50%AI算力需求爆发带动HBM芯片火热，存储厂商纷纷调转产能，传统成熟制程存储芯片供给持续收紧。摩根士丹利最新报告预警，DDR4等成熟DRAM、SLC NAND将迎来大幅度涨价，存储市场价格上行趋势还在延续。三季度全球内存涨价态势还在加剧。摩根士丹利发布预测显示，2026年第三季度DDR4这类成熟DRAM价格预计上涨50%，第四季度或将继续上涨10%。机构判断，成熟DRAM与NAND闪存的供应紧张还会进一步加剧。核心诱因来自供给端产能转移：存储器厂商持续把产能倾斜至HBM、DDR5以及高层数NAND闪存，挤压传统存储芯片产能。即便是新一代DDR5，价格也没有回落迹象。美国银行统计的数据显示，8月份DDR5‑5600/6400 24GB现货价格环比上涨8%，同比涨幅更是达到483%。SLC NAND闪存涨价力度或将更为猛烈，大摩预计，今年剩下两个季度，该品类每季度涨幅可达50%。HBM是吞噬产能的关键因素。资料显示，HBM耗费的硅晶圆约为传统DRAM的三倍。垂直堆叠结构，加上海量硅通孔TSV以及配套禁布区，压缩了有效存储阵列面积。AI行业对HBM的需求还在持续走高。瑞银预测，2027年仅英伟达一家HBM消耗量就约251亿GB，全行业整体需求将达到615亿GB。在这样的背景之下，DDR4、SLC NAND、NOR Flash新增供给严重不足。摩根士丹利表示，成熟内存长期订单偏少，反而给到供应商更强短期定价话语权。机构同步上调旺宏电子、华邦电子、力积电、兆易创新盈利预期。AI算力带动存储行业格局重构，成熟芯片产能被高端产品挤占，涨价已经成为市场主线。你近期有没有感受到内存、闪存产品的价格变化？欢迎评论区聊聊。免责声明：本文内容仅为行业资讯客观转述，不构成任何投资建议，不代表平台立场。市场有风险，相关行业与企业请理性看待。