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【表面分析】飞行二次离子质谱(TOF-SIMS) [一]技术简介 超高灵敏度表面

【表面分析】飞行二次离子质谱(TOF-SIMS)
[一]技术简介
超高灵敏度表面分析技术,仅探测样品最表层1~2nm原子层,同步获取元素、分子碎片的质谱信息与空间分布,支持二维化学成像与三维深度重构,检出限可达ppm~ppb级。
[二]测试原理
超高真空环境下,脉冲一次离子束聚焦轰击样品表面,通过级联碰撞溅射产生带电二次离子;所有离子经相同电场加速后进入无场飞行管,轻离子飞行时间更短,通过飞行时间换算质荷比,实现全质谱并行检测与逐像素化学成像。
[三]测试项目
1. 正/负离子全谱定性分析
2. 二维化学面分布成像
3. 薄膜深度剖析
4. 三维化学结构重构
5. 同位素与微量杂质识别
6. 有机官能团/分子碎片鉴定
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