2、三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发

据媒体报道，三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片450层3D NAND，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。

中信证券指出，当前存储原厂扩产面临主客观双重约束，2026年有效产能释放受限，预计新产能实质释放需待2027年底至2028年，且过程中供给增速上修空间有限。坚定看好存储产业趋势，行业有望维持高景气，原厂及相关存储设计公司有望更长时间维持高盈利。