3D dram为什么必然是所有未来手机soc 主流？因为先进制程卷不下去了，或者说无法依靠先进制程去大幅度提升芯片能效比了

以前全球芯片行业主要靠“把晶体管做得越来越小”来提升性能，换句话来说就是”管子就这么大，要想提高通行效率怎么办？那就把通过的车辆体积做小“，这是另一种意义上的力大砖飞

但是现在继续变小的代价越来越高，收益也没有过去那么明显。先进制程越来越贵，光刻设备越来越贵，芯片设计越来越贵。更麻烦的是，先进节点上的单位晶体管成本不再像过去那样稳定下降。

也就是说，过去那种“只要等下一代工艺，一切都会变好”的日子，已经不再可靠了。对于这一点，台积电N3之耻谷歌有发言权

发哥那边有个关于SRAM的探索，发哥应该是在为谷歌TPU v9准备Sram，结果发现制程从5nm到3nm到2nm容量压根没有提升，甚至会出现反作用

也就是说通过升级先进制程提升容量这条路对其无效，平面上提升工艺的方案走进了死胡同，现在要想真正实现迭代提升总容量只能通过和hbm一样3d堆叠的方式，再键合到逻辑单元上来，同时容量受限的场景下需要和定制hbm合用来保证容量

服务器算力不够，可以多插卡;数据中心不够，可以多堆机柜。但在手机上这条力大砖飞的路子行不通。因为手机只有一颗主芯片，日常使用最高功耗不能超过10瓦，还要有一个轻薄的机身。所有的负担都压在SOC身上。

GPU/ASIC要提升性能就只能不断上大容量大带宽的存储方案去突破内存墙，没有别的路可以走

没人会闲着优化无关紧要的东西，还有国内这么喜欢节约，就是硬件跟不上，只能在效率上下功夫