光刻胶有90%掌握在日本手上，但其垄断地位正在被打破
"90%" 这一数据指向的是高端半导体光刻胶（如 ArF 浸没式和 EUV 光刻胶）市场，日本企业凭借技术和专利确实占据了绝对垄断地位。但如果看的是包含中低端在内的全球整体光刻胶市场，日本的份额大约在 70%-80% 左右。
高端光刻胶 （ArF浸没式、EUV） 90% 至接近 100% 东京应化（TOK）、JSR、信越化学、住友化学等 。
全球整体光刻胶 （含中低端） 约 70% - 80% 除上述企业外，还包括富士胶片等。
EUV 光刻胶 （用于7nm及以下） 几乎 100% 东京应化（TOK）、JSR、信越化学 。
日本之所以能形成并长期维持这种近乎垄断的地位，并非偶然，背后有很深的技术与产业生态壁垒：
极高的纯度控制要求。高端光刻胶对杂质的容忍度极低，要求达到 ppt（万亿分之一） 级别。这种极限精度的生产工艺依赖日本工程师长年累月的隐性经验积累，难以通过分析成品或查阅专利来简单复制 。
严密的专利保护网。日本企业持有全球光刻胶领域 超过70%的有效专利，形成了交叉保护的专利壁垒，极大地限制了后来者的研发路径 。
上下游深度绑定。光刻胶需要与特定光刻机、芯片制程工艺进行长达 2年以上的适配与验证，才能正式导入晶圆厂的生产线。日本企业已与台积电、三星、英特尔等全球头部晶圆厂形成了稳固的供应和共同研发关系，新供应商的替换成本极高 。
中国可以自主生产光刻胶，但主要集中在成熟制程，高端领域的国产化率目前还非常低。好消息是，情况正在快速变化，我们正处在从几乎完全依赖进口到逐步实现国产替代的关键阶段。
不同类别光刻胶的国产化情况如下：
g/i 线光刻胶（用于成熟制程）。国产化率约 20%-25%。这类用于电源管理、传感器等芯片的光刻胶，国内已有一定的产业基础，但仍有不小的替代空间 。
KrF 光刻胶（用于中高端制程，如3D NAND、DRAM）。国产化率约 3%。国内头部企业已有多款产品通过主流晶圆厂认证并进入批量供货阶段，正在加速追赶 。
ArF/ArFi 光刻胶（用于先进制程，如逻辑芯片）。国产化率不足 1%。这是目前“卡脖子”最严重的环节，国内多家公司正处于产品开发和客户验证的关键阶段，部分产品已实现初步销售 。
EUV 光刻胶（用于7nm及以下先进制程）。国产化率几乎为 0%。作为最前沿的技术，目前全球市场由日本企业完全垄断，国内尚处于实验室研发的早期探索阶段 。
虽然高端领域差距明显，但近期的一些突破也很有希望：
规模化生产落地。2026年3月，鼎龙股份年产300吨的高端KrF/ArF光刻胶项目正式投产，实现了从核心原料到成品的全链条自主制造，这标志着国产高端光刻胶迈入了规模化量产的新阶段 。
基础研究突破。北京大学团队通过冷冻电镜技术，首次在5纳米分辨率下“看清”了光刻胶分子的微观运作机制。这项成果能指导产业界优化工艺，有效减少缺陷，提升先进制程的良率，为自主研发提供了新的思路 。
总的来说，中国正在努力构建完整的光刻胶产业链。虽然攻克最高端领域还需要时间和持续的投入，但从实验室的基础研究到工厂的量产落地，各个环节都已开始显现积极的进展。